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第五章ARM开发板_s3c44b0基础实验_5.1.2. 实验原理-1

5.1.2. 实验原理

内存控制器

S3C44B0X 处理器的内存控制器可以为片外内存存取提供必要的控制信号，它主要包括以下特点：

支持数据存储器的大/少端选择（通过外部引脚来选择）。

地址空间：包含8 个地址空间，每个地址空间的大小为32M 字节，总共有256M 字节的地址空间。

所有地址空间都可以通过程序设定为8 位、16 位或32 位存取方式。

8个地址空间中，Bank0~Bank5可支持ROM、SRAM 等内存，2 个用于ROM、SRAM和FP/EDO/SDRAM 等内存。

7 个地址空间的起始地址及空间大小是固定的。1 个地址空间的起始地址和空间大小是可变的。

所有内存空间的存取周期都可以通过程序设定。

提供外部扩充总线的等待周期。

支持DRAM/SDARM 自动刷新。

支持地址对称或非地址对称的DRAM。

图5-1 S3C44B0X 复位后的内存地址分配

图3-1 为S3C44B0X 复位后的内存地址分配图。从图中可以看出，特殊功能寄存器位于0X01C00000 到0X02000000 的4M 空间内。Bank0-Bank5 的起始地址和空间大小都是固定的，Bank6的起始地址是固定的，但是空间大小和Bank7一样是可变的，可以设定为2/4/8/16/32M。Bank6 和Bank7 的详细的地址和空间。大小的关系可以参考表5-1

表5-1

地址	2M	4M	8M	16M	32M
Bank6
开始地址	0xc00_0000	0xc00_0000	0xc00_0000	0xc00_0000	0xc00_0000
结束地址	0xc1f_ffff	0xc3f_ffff	0xc7f_ffff	0xcff_ffff	0xdff_ffff
Bank7
开始地址	0xc20_0000	0xc40_0000	0xc80_0000	0xd00_0000	0xe00_0000
结束地址	0xc3f_ffff	0xc7f_ffff	0xcff_ffff	0xdff_ffff	0xfff_ffff

大/小ENDIAN 模式选择

处理器复位时（nRESET 为低），通过ENDIAN 引脚选择所使用的ENDIAN模式。ENDIAN引脚通过下拉电阻与Vss 连接，定义为Little endian 模式；ENDIAN引脚通过上拉电阻和Vdd 连接，则定义为Big endian 模式。如表5-2 所示。

表5-2 大/小endian 模式

ENDIAN	模式
0	Little endian
1	Big endian

BANK0 总线宽度

BANK0（nGCS0）的数据总线宽度可以设定为8 位、16 位或32 位。因为BANK0为启动ROM（映像地址为0X00000000）所在的空间，所以必须在第一次存取ROM 前设定BANK0 数据宽度，该数据宽度是由复位后OM[1:0]的逻辑电位决定的，表5-3 所示。

表5-3 数据宽度选择

OM1	OM0	模式
0	0	8-bit
0	1	16-bit
1	0	32-bit
1	1	Test Mode

内存控制专用寄存器

寄存器	地址	R/W	描述	复位值
BWSCON	0X01C80000	R/W	总线宽度/等待控制寄存器	0X000000

表5-4 总线宽度/等待控制寄存器（BWSCON）

内存控制专用寄存器

BWSCON	位	描述	初始状态
ST7	[31]	该位确定BANK7上的SRAM 是否使用UB/LB 0- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS7	[30]	该位确定BANK7上的SRAM存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enable	0
DW7	[29:28]	该两位确定BANK7的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit 10 = 32-bit	0
ST6	[27]	该位确定BANK6上的SRAM 是否使用UB/LB 0- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS6	[26]	该位确定BANK6上的SRAM存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enable	0
DW6	[25:24]	该两位确定BANK6的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit, 10 = 32-bit	0
ST5	[23]	该位确定BANK5上的SRAM 是否使用UB/LB 0- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS5	[22]	该位确定BANK5上的存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enable	0
DW5	[21:20]	该两位确定BANK5的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit 10 = 32-bit	0
ST4	[19]	该位确定BANK4上的SRAM 是否使用UB/LB6 0 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS4	[18]	该位确定BANK4上的存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enable	0
DW4	[17:16]	该两位确定BANK4的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit, 10 = 32-bit	0
ST3	[15]	该位确定BANK3上的SRAM 是否使用UB/LB 0- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS3	[14]	该位确定BANK3上的存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enabl	0
DW3	[13:12]	该两位确定BANK3的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit, 10 = 32-bit	0
ST2	[11]	该位确定BANK2上的SRAM 是否使用UB/LB 00- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 11- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS2	[10]	该位确定BANK2上的存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT enable	0
DW2	[9:8]	该两位确定BANK2的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit 10 = 32-bit	0
ST1	[7]	该位确定BANK1上的SRAM 是否使用UB/LB 0- 不使用（PIN[14:11] 作为nWBE[3:0]） 1- 使用（PIN[14:11] 作为nBE[3:0]）	0
WS1	[6]	该位确定BANK1上的存储器的等待状态 0- WAIT disable 1 = WAIT	0
DW1	[5:4]	该两位确定BANK1的数据总县宽度 00 = 8-bit 01 = 16-bit 10 = 32-bit	0
DW0	[2:1]	两位指示BANK0的数据总县宽度(ONLY READ,由OM[1:0] 脚确定) 00 = 8-bit 01 = 16-bit 10 = 32-bit	_
[ENDIAN]	[0]	指示系统选定的大/小端模式， 0 表示小端模式 1表示大端模式。	-

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