SST29EE512 64k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量,单一读写工作电压:SST29EE512为4.5-5.5V,SST29LE512为3.0-3.6V ,SST29VE512为2.7-3.6V。一百万次的读写次数,数据保存时间可达100年。低功耗:5V电压下为20mA,3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度,快速存取速度,地址和数据锁存,写末地址检测,兼容TTL电路,具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册[Datasheet]
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