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HY29F040 512k×8位 FLASH存储器

HY29F040 512k×8位 FLASH存储器

单一5V的读、编程和擦除电压，55ns的存取时间，典型编程时间7us/每字节，扇区擦除时间1.0se（典型值），整片擦除时间8sec（典型值）。低功耗，读状态耗电流20mA，编程或擦除电流30mA，最大CMOS待机电流5uA。兼容JEDEC标准指令，内部自动扇区擦除结构。自动编程结构，一百万次的擦写周期，具有标准工业32pin封装结构，PDIP、TSOP和PLCC等封装形式。

数据手册 [Datasheet]

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