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HY29F002 256k×8位 FLASH存储器

HY29F002 256k×8位 FLASH存储器

     256k×位 FLASH存储器,5V的读写及擦除电压,单一电源存储器,一百万次的读写周期。兼容JEDEC标准指令,软件指令,标准工业封装形式。内部自动扇区擦除结构。低功耗:最大读电流40mA,最大擦除和编程电流60mA,待机状态:5mA。45ns的存取时间。

     数据手册(英文)

 

                        


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