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内含实时时钟的存储器DS1243Y的性能特点及应用
发布日期:2005-12-26 作者:黄再银 来源:国外电子元器件

  摘  要:DS1243Y是DALLAS公司生产的内含实时时钟的存储器芯片,该芯片内含8k Bytes NVRAM、内置式(built-in)实时时钟、嵌入式(embedded)锂电池和32768Hz晶振。文章介绍了DS1243Y的性能特点及使用方法,给出了它和AT89C51的接口电路及读、写实时时钟的子程序。
    关键词
:实时时钟;非易失性存储器;DS1243Y

  DS1243Y是DALLAS公司生产的带有实时时钟的存储芯片,该芯片将8k Bytes NV ram、实时时钟、锂电池和32768Hz晶振集成在一起,因而在很大程度上降低了系统成本及对线路板空间的要求。其内置的控制电路可为NVRAM提供独特的保护。一旦电源电压降低到某一数值,DS1243Y芯片将处于写保护状态而禁止读写该芯片。

1 DS1243Y的封装及性能特点
1.1引脚功能
  DS1243Y的引脚排列如图1所示,由图可见,它与静态RAM6264的引脚完全兼容,因此无需更改线路便可直接替代6264。现将DS1243Y的引脚功能描述如下:
  
A0~A12:地址输入端;
  :芯片使能端;
 
   
GND:地;
    DQ0~DQ7:数据输入/输出端;
  Vcc:电源(+5V);
  
:写使能端;
  OE:读使能端;
  RST:复位端;
  
  
NC:空脚。
1.2性能特点

  DS1243Y的主要功能特点如下:
  ●实时时钟可提供0.01秒,0.1秒,秒,分,时,日,日期,月,年。

    ●内含8kBytes非易失性RAM(NV RAM),可直接替代易失性RAM或EEP-ROM。
  ●内含嵌入式锂电池,可维持时钟运转并保持RAM中的数据。
  ●可通过内部控制电路不断监视Vcc,当Vcc
大于4.5V时,DS1243Y可提供全部功能;当Vcc小于4.0V时,器件进入写保护状态,此时所有的输入将变成“Don't Care”,而所有的输出则都处于高阻态;而当Vcc小于等于3.0V时,电源自动切换到内部锂电池。
    ●温度为25℃时,1个月的计时误差小于1分钟。
    ●断电后,数据可保存10年。
  ●实时时钟的读写对RAM是透明的,因而可使用并行数据传送指令来读写实时时钟。



2 实时时钟的读写
  对DS1243Y中的NVRAM的读写操作与SRAM(如6264)完全一样。下面介绍DS1243Y实时时钟的读写方法。
  DS1243Y内含一个64位的比较寄存器,在对其实时时钟进行读写时,应首先通过DQ0脚串行输入如图2所示的64位比特流(Bit Stream),当第一位输入数据与比较寄存器的第一位相匹配后,比较寄存器的指针自动加一,然后与第二位输入数据进行比较。依此类推,如果连续输入的 64位比特流均与比较寄存器的数据相匹配,则此时可对实时时钟进行读写。如果中间有某一位不匹配或者64位比特流在比较完成前,对DS1243Y有一读操作,则比较寄存器的指针自动复位指向第一位数据。另外,在64位比特流比较完成前,数据的输入均会更改DS1243Y的相应存储单元;因此,通常指定 DS1243Y的最后一个字节地址(1FFF)为实时时钟的地址,该字节地址不能作RAM用,此时可用并行数据传送指令对实时时钟进行读写操作,只不过在对实时时钟进行操作时,每次只有数据的最低位(DQ0)是有效的。
  实时时钟的时钟信息如图3所示。在8个8位寄存器中,这些信号均由BCD码组成。对时钟信息的读写须一次连续完成,中间不允许有对DS1243Y的其它操作。其寄存器中的控制位的含义如下:
  小时寄存器的第七位为12/24小时模式选择位,该位为1时,选12小时模式;此时第5位为上午/下午(AM/PM)位,该位为1表示下午(PM),为0表示上午(AM)。
  在24小时模式中,第5位为小时十位的第2位(20-23小时)数据。
  日(DAY)寄存器的第4、5位分别为复位和振荡器控制位。当第4位控制复位脚(芯片的第1脚)为1时,复位脚无效;为0时,复位脚输入低电平以使实时时钟复位。第5位为振荡器控制位,当该位为1时,振荡器停止振荡;为0时,振荡器振荡以输出正常时钟。DS1243Y在出厂时,这些位均设为1。
  在寄存器1、2、3、4、5和6中,均包含有一个或多个位,当读取这些位时,得到的数据均为0;而当写这些位时,则可写入1或0。


3 DS1243Y与单片机的接口应用
  在许多用单片机设计的电子产品中,通常都要求产品能提供实时时钟,且在断电后仍能保存数据资料。通常的做法是:实时时钟由一片时钟芯片(如DS12887等)来完成,而数据资料的保存则使用另一片 RAM芯片(如静态RAM6264)。由于采用了两片芯片,且有些时钟芯片还必须外接晶振,而静态RAM又必须配有后备电池,因而占用了较多的线路板空间,且成本较高。显而易见,如采用DS1243Y,不仅可简化系统的硬件设计,使线路板更小巧紧凑,而且能降低成本。另外DS1243Y还可直接替换原有产品的静态RAM如6264(只需更改读写时钟部分的子程序),并可节省时钟芯片和后备电池。但在应用DS1243Y时,要涉及到它和单片机的接口、以及编写读写实时时钟的子程序,下面以与AT89C51单片机接口为例予以具体介绍。
  DS1243Y与AT89C51的接口电路如图4所示。图中,AT89C51的P1.0与DS1243Y的第一脚相连,其作用是在AT89C51复位后通过软件在P1.0输出一复位脉冲给DS1243Y,以使其复位。读写实时时钟的子程序如下,其中TIMEBUF为时钟信息缓冲区,占8个字节。
 
 
   

 


4 注意事项
  在对DS1243Y的实时时钟操作时,日(DAY)寄存器的第5位(复位控制位)必须置0,以便DS1243Y能接收复位信号。每次上电后,应由软件通过P1.0对其复位。否则,当CPU产生 “热”复位时(此复位可由看门狗或手动产生),如果此CPU正在对实时时钟进行读写,那么CPU产生的“热”复位将会对RAM或实时时钟也进行读写操作,从而导致意想不到的错误。

参考文献

1.http://www.hteurep.hr/dallas15.htm1243Y.pdf
2.薛栋梁.MCS-51/151/251单片机原理与应用(二).中国水利水电出版社,2001
3.王幸之,王雷,等.单片机应用系统抗干扰技术. 北京航空航天大学出版社,2001

 (全文结束)

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